RAM-Speicher
Mehr Spannung
Die Produktserie FRAM-V (ferroelektrische RAM Speicher) von Fujitsu wird durch ein Modell mit einem erweiterten Spannungsbereich erweitert. Der neu vorgestellte FRAM MB85RC256V besitzt die größte Speicherdichte der V-Serie und ist das erste FRAM-Produkt des Anbieters mit einem nochmals erweiterten Spannungsbereich von 2,7 V bis 5,5 V.
Das neue Modell enthält einen Speicher von 256 kBit mit einer Konfiguration von 32 k-Wörter zu 8 Bit. Es besitzt zudem serielle I²C-Schnittstellen mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 400 kHz bei einer Betriebsspannung von 2,7 V bis 4,5 V beziehungsweise maximal 1 MHz bei einer Betriebsspannung von 4,5 V bis 5,5 V. Alle Produkte dieser Serie sind in EEPROM-kompatiblen 8-Pin SOP-Gehäusen aus Kunststoff erhältlich. kf
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