GaN-Leistungsbauelement
Geringer Einschaltwiderstand
Fujitsu Semiconductor Europe führt das GaN-Leistungsbauelement MB51T008A in den Markt ein. Der Galliumnitrid-Baustein auf Siliziumbasis weist eine Durchschlagspannung von 150 Volt auf. Mit der Erweiterung der Produktlinie um den neuen Baustein bringt das Unternehmen GaN-Leistungsbauelemente auf den Markt, mit denen sich noch effizientere Stromversorgungseinheiten für viele Anwendungen herstellen lassen – von Haushaltsgeräten über IKT-Geräte bis zu den Marktsegmenten Automotive und Industrie. Produktmuster der neuen Serie sind seit Juli 2013 verfügbar; ab 2014 folgt die Massenproduktion.
Zu den Vorteilen des MB51T008A zählen der geringe Einschaltwiderstand von 13 mΩ und die Gate-Ladung von 16 nC. Diese Werte ermöglichen etwa den halben FOM von Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis mit vergleichbarer Durchschlagspannung. jg
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