FRAM-Produkte
Höhere Energieeffizienz
Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt mit den Derivaten MB85RS1MT und MB85RS2MT zwei neue Produkte mit ferroelektrischem RAM (FRAM) vor. Mit 1 Mbit bzw. 2 Mbit Speicherdichte haben sie die bisher höchste Kapazität der vom gleichen Hersteller angebotenen SPI FRAM Produkte. Mit 10 Billionen (1013) garantierten Schreib-Lese-Zyklen sind die neuen Produkte ideal für Anwendungen wie Smart Meter und Industriemaschinen. jg
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