EEPROM-Serie
Hohe Speicherdichte
Das Elektronik-Anbieter Rohm Semiconductor stellt eine neue EEPROM-Serie mit hoher Speicherdichte und hoher Geschwindigkeit vor. Die neuen Bauelemente der BR24-Familie mit I2C-Bus bieten die bis dato nicht verfügbaren Speicherdichten von 512kBit und 1MBit. Darüber hinaus empfehlen sie sich auch als Alternativen zu den existierenden Bausteinen von 1kBit bis 256kBit mit der Möglichkeit, die Geschwindigkeit auf bis zu 1MHz zu steigern. Sämtliche EEPROMs besitzen eine Doppelzellen-Struktur zur Vermeidung von zufälligen Fehlern sowie eine doppelte Schutzschaltung zur Vermeidung von Schreibfehlern. Die neuen Speicher eignen sich aus diesem Grund für ein breites Spektrum von Consumer-, Industrie-, und Automotive-Anwendungen.
Hintergrund: Schreibvorgänge erfolgen durch das Tunneln von Elektronen durch eine Oxidschicht. Dieser Vorgang verschlechtert die Oxidschicht mit der Zeit, bis es schließlich zum Ausfall einer Speicherzelle kommt. Die betreffende Zelle hat dadurch permanent eine ‚1‘ gespeichert und kann nicht mehr überschrieben werden. Aber auch kosmische Teilchenstrahlung kann Bitfehler erzeugen. Dass diese Phänomene einen Datenverlust erzeugen, wird durch die Doppelzellen-Struktur von Rohm vermieden, die jedem Speicherbit zwei Zellen zuordnet. Durch die Oder-Verknüpfung beider Zellen kann eine Zelle allein die Funktionsfähigkeit aufrecht erhalten, sollte die andere versagen.
Alle hoch integrierten Schaltungen (LSIs) werden beim Ein- und Ausschalten der Versorgungsspannung instabil. EEPROMs sind diesbezüglich sogar noch anfälliger und es ist unmöglich, auch nur eine einzige Fehlfunktion zu beheben. Aus diesem Grund stattet der Anbieter seine Bausteine mit einer doppelten Schutzschaltung aus. Diese besteht zum einen aus einem POR-Block (Power-On Reset), der beim Einschalten einen Reset auslöst, und zum anderen aus einer LVCC-Schaltung (Low Voltage Write Error Protection Circuit), die bei unzureichende Versorgungsspannung (LVCC und darunter) Schreibvorgänge unterbindet und einen Reset ausführt.
Gespeicherte Daten können bis zu 100.000 Mal überschrieben werden und bleiben über einen Zeitraum von 40 Jahren erhalten.
kf








