Frequenzumrichter
Leistung um 10 Prozent erhöht
Mit neuen Siliziumkarbid-Dioden ist es Siemens und seinen Forschungspartnern gelungen, die Leistung von Frequenzumrichtern um knapp zehn Prozent zu erhöhen. In dem soeben abgeschlossenen Projekt MV-SiC wurden diese Dioden in kommerziellen Umrichtern getestet. In dem Projekt erforschten die Partner Infineon, Curamik Electronics, die TU Dresden sowie Experten von Siemens Drive Technologies und der globalen Forschung Corporate Technology Diodenmodule auf Basis des Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC), die eine Sperrspannung von 6,5 Kilovolt (kV) besitzen und einen Strom von bis zu 1,2 Kiloampere (kA) aushalten. SiC-Dioden reduzieren die Komplexität des Systems und steigern aufgrund geringerer Verluste die Energieeffizienz. jg
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